Gamintojo produkto numeris:
R6006JNJGTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6006JNJGTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
1098 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527337
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6006JNJGTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 800µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
410 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
86W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6006
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6006JNJGTLTR
R6006JNJGTLCT
R6006JNJGTLDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6020JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
QS5U23TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
