Gamintojo produkto numeris:
R6009END3TL1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6009END3TL1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
5016 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12851094
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6009END3TL1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
94W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
R6009
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-R6009END3TL1DKR
846-R6009END3TL1TR
846-R6009END3TL1CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLR110ATM
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
BS170ZL1G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
HUF75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
