Gamintojo produkto numeris:
R6009KNX
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6009KNX-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventorius:
13526049
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6009KNX Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
540 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
48W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220FM
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
R6009
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK560A65Y,S4X
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
5
DiGi DALIES NUMERIS
TK560A65Y,S4X-DG
VISO KAINA
0.60
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPAW60R600P7SXKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1
DiGi DALIES NUMERIS
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
VISO KAINA
0.94
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
