Gamintojo produkto numeris:
R6011ENJTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6011ENJTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
13524473
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6011ENJTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6011
Duomenų lapas ir dokumentai
Dizaino ištekliai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6011ENJTLCT
R6011ENJTLTR
R6011ENJTLDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFA12N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
288
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA12N65X2-DG
VISO KAINA
1.82
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXFA22N60P3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA22N60P3-DG
VISO KAINA
3.61
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RU1E002SPTCL
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
RTF025N03FRATL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
RCJ330N25TL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS