R6014YNX3C16
Gamintojo produkto numeris:

R6014YNX3C16

Product Overview

Gamintojas:

Rohm Semiconductor

Detalių numeris:

R6014YNX3C16-DG

Aprašymas:

NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001132
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

R6014YNX3C16 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V, 12V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 5A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6V @ 1.4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
890 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
132W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
R6014

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
R6014YNX3

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
846-R6014YNX3C16
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
panjit

PJQ5453E-AU_R2_002A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5544-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5542V-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5548-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M