Gamintojo produkto numeris:
R6018JNJGTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6018JNJGTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 220W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
626 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525908
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6018JNJGTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
286mOhm @ 9A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 4.2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
220W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6018
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6018JNJGTLCT
R6018JNJGTLTR
R6018JNJGTLDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6020KNJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
QS5U13TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
