Gamintojo produkto numeris:
R6025JNZ4C13
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6025JNZ4C13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventorius:
597 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525312
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6025JNZ4C13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 4.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
306W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247G
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
R6025
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RCX081N20
MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
RXH070N03TB1
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
RSS100N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
