Gamintojo produkto numeris:
R6535ENZ4C13
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6535ENZ4C13-DG
Aprašymas:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventorius:
571 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996280
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6535ENZ4C13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1.21mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
379W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247G
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
R6535
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-R6535ENZ4C13
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
SI3134KEA-TP
N-CHANNEL MOSFET
