Gamintojo produkto numeris:
R8002ANJGTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R8002ANJGTL-DG
Aprašymas:
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventorius:
925 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12976159
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R8002ANJGTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
62W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263S
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R8002
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-R8002ANJGTLDKR
846-R8002ANJGTLTR
846-R8002ANJGTLCT
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R8002ANJFRGTL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
930
DiGi DALIES NUMERIS
R8002ANJFRGTL-DG
VISO KAINA
1.05
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQA28N50-ON
28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
TK60S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
IXTP60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
