Gamintojo produkto numeris:
RD3G600GNTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RD3G600GNTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
2466 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526821
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RD3G600GNTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3400 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
RD3G600
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RD3G600GNTLDKR
RD3G600GNTLCT
RD3G600GNTLTR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD130N4F6AG
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
2500
DiGi DALIES NUMERIS
STD130N4F6AG-DG
VISO KAINA
0.68
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6030KNX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
RS3L045GNGZETB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
R8008ANX
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
