Gamintojo produkto numeris:
RD3P08BBDTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RD3P08BBDTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
9614 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526208
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RD3P08BBDTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1940 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
119W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
RD3P08
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RD3P08BBDTLTR
RD3P08BBDTLDKR
RD3P08BBDTLCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
RRH140P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
RSS065N06FU6TB
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
