Gamintojo produkto numeris:
RD3P200SNTL1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RD3P200SNTL1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
5845 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527268
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RD3P200SNTL1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
20W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
RD3P200
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RD3P200SNTL1TR
RD3P200SNTL1CT
RD3P200SNTL1DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SCH2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
RQ3E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
RS1E200GNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP