Gamintojo produkto numeris:
RD3T100CNTL1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RD3T100CNTL1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
5000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527105
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RD3T100CNTL1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.25V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
85W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
RD3T100
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RD3T100CNTL1CT
RD3T100CNTL1DKR
RD3T100CNTL1TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RAQ045P01MGTCR
1.5V DRIVE PCH MOSFET
RJK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
