Gamintojo produkto numeris:
RF4E100AJTCR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RF4E100AJTCR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Inventorius:
11749 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526084
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RF4E100AJTCR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1460 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
HUML2020L8
Pakuotė / dėklas
8-PowerUDFN
Pagrindinio produkto numeris
RF4E100
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RF4E100AJTCRCT
RF4E100AJTCRTR
RF4E100AJTCRDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
R6012JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
