Gamintojo produkto numeris:
RF4P025ATTCR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RF4P025ATTCR-DG
Aprašymas:
PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventorius:
2951 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12998182
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RF4P025ATTCR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
590 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
HUML2020L8
Pakuotė / dėklas
8-PowerUDFN
Pagrindinio produkto numeris
RF4P025
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RF4P025ATTCRDKR
846-RF4P025ATTCRTR
846-RF4P025ATTCRCT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6004KNXC7G
600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
RX3G07BBGC16
NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
CMLM8205 TR
DIODE
