Gamintojo produkto numeris:
RF6C055BCTCR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RF6C055BCTCR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
Inventorius:
2985 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13524867
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RF6C055BCTCR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1080 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TUMT6
Pakuotė / dėklas
6-SMD, Flat Leads
Pagrindinio produkto numeris
RF6C055
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RF6C055BCTCRDKR
RF6C055BCTCRCT
RF6C055BCTCRTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8