Gamintojo produkto numeris:
RP1E100XNTR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RP1E100XNTR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventorius:
13526335
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
aTcg
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RP1E100XNTR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
MPT6
Pakuotė / dėklas
6-SMD, Flat Leads
Pagrindinio produkto numeris
RP1E0100
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
RSR020N06TL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RXR035N03TCL
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
