Gamintojo produkto numeris:
RQ3E070BNTB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ3E070BNTB-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventorius:
6697 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525893
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ3E070BNTB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
410 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSMT (3.2x3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
RQ3E070
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RQ3E070BNTBDKR
RQ3E070BNTBCT
RQ3E070BNTBTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6020ANJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS