Gamintojo produkto numeris:
RQ3E110AJTB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ3E110AJTB-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventorius:
13988 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527398
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ3E110AJTB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Ta), 24A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSMT (3.2x3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
RQ3E110
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RQ3E110AJTBDKR
RQ3E110AJTBCT
RQ3E110AJTBTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RF6E065BNTCR
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
