Gamintojo produkto numeris:
RQ3L090GNTB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ3L090GNTB-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventorius:
17700 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525967
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ3L090GNTB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta), 30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.7V @ 300µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1260 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSMT (3.2x3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
RQ3L090
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RQ3L090GNTBDKR
RQ3L090GNTBCT
RQ3L090GNTBTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
R6020ANZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
RAQ045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6