Gamintojo produkto numeris:
RQ6E045RPTR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ6E045RPTR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 4.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventorius:
13525669
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ6E045RPTR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
950mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TSMT6 (SC-95)
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
RQ6E045
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RQ6E045RPDKR
RQ6E045RPCT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQ3481EV-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
4043
DiGi DALIES NUMERIS
SQ3481EV-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.20
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
RRQ045P03HZGTR
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
248
DiGi DALIES NUMERIS
RRQ045P03HZGTR-DG
VISO KAINA
0.45
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RCJ081N20TL
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
RQ1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
RSM002P03T2L
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
