Gamintojo produkto numeris:
RQ6P020ATTCR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ6P020ATTCR-DG
Aprašymas:
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventorius:
5425 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001127
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ6P020ATTCR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
760 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
950mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TSMT6 (SC-95)
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
RQ6P020
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RQ6P020ATTCRDKR
846-RQ6P020ATTCRTR
846-RQ6P020ATTCRCT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
R6022YNXC7G
NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
R6022YNZ4C13
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
