Gamintojo produkto numeris:
RS1E220ATTB1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RS1E220ATTB1-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 22A (Ta), 76A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventorius:
11698 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527479
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RS1E220ATTB1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
22A (Ta), 76A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5850 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSOP
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
RS1E
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RS1E220ATTB1TR
RS1E220ATTB1DKR
RS1E220ATTB1CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSR020P03TL
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
R6012ANJTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
RQ1A070APTR
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8