Gamintojo produkto numeris:
RS1E280BNTB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RS1E280BNTB-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventorius:
35014 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13524348
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RS1E280BNTB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Ta), 80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5100 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 30W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSOP
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
RS1E
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RS1E280BNTBTR
RS1E280BNTBDKR
RS1E280BNTBCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RQ5E035BNTCL
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
RP1E090RPTR
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
