Gamintojo produkto numeris:
RS1G260MNTB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RS1G260MNTB-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventorius:
2296 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13524434
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RS1G260MNTB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26A (Ta), 80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2988 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSOP
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
RS1G
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RS1G260MNTBCT
RS1G260MNTBTR
RS1G260MNTBDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSD221N06TL
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
QS5U12TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
