Gamintojo produkto numeris:
RS1P090ATTB1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RS1P090ATTB1-DG
Aprašymas:
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 9A (Ta), 33A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventorius:
2130 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001961
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RS1P090ATTB1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta), 33A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5650 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 40W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSOP
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
RS1P090
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RS1P090ATTB1CT
846-RS1P090ATTB1TR
846-RS1P090ATTB1DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCU40N10AHE3-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
ICE11N70FP
Superjunction MOSFET
PMPB09R1XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
