Gamintojo produkto numeris:
RS6R035BHTB1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RS6R035BHTB1-DG
Aprašymas:
NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventorius:
2474 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12992313
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RS6R035BHTB1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1470 pF @ 75 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 73W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSOP
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RS6R035BHTB1CT
846-RS6R035BHTB1TR
846-RS6R035BHTB1DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IQDH88N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V
FF2000XTR17IE5BPSA1
PP IHM I
FF6MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY