Gamintojo produkto numeris:
RT1A060APTR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RT1A060APTR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventorius:
56 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13524374
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RT1A060APTR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
-8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7800 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
600mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSST
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Pagrindinio produkto numeris
RT1A060
Duomenų lapas ir dokumentai
Patikimumo dokumentai
Duomenų lapai
Dizaino ištekliai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RT1A060APTRDKR
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRTR
RT1A060APTRDKR-ND
RT1A060APCT
RT1A060APTRCT-ND
RT1A060APTRTR-ND
RT1A060APDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RTL020P02FRATR
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
RSE002N06TL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
