Gamintojo produkto numeris:
RUE002N02TL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RUE002N02TL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventorius:
26598 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525008
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RUE002N02TL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 2.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
25 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
EMT3
Pakuotė / dėklas
SC-75, SOT-416
Pagrindinio produkto numeris
RUE002
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RUE002N02TLTR
RUE002N02TLCT
RUE002N02TLDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSS075P03TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RD3H045SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
RW1C026ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
