Gamintojo produkto numeris:
RUM003N02T2L
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RUM003N02T2L-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventorius:
22863 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526410
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RUM003N02T2L Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
300mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
25 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
VMT3
Pakuotė / dėklas
SOT-723
Pagrindinio produkto numeris
RUM003
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RUM003N02T2LTR
RUM003N02T2LDKR
Q6100518
RUM003N02T2LCT
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MMBF2201NT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
46950
DiGi DALIES NUMERIS
MMBF2201NT1G-DG
VISO KAINA
0.07
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SSM3K36MFV,L3F
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
448337
DiGi DALIES NUMERIS
SSM3K36MFV,L3F-DG
VISO KAINA
0.04
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSY500N04FRATL
MOSFET N-CH 40V 50A TCPT3
RJ1G12BGNTLL
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
RU1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
