Gamintojo produkto numeris:
RW1C020UNT2R
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RW1C020UNT2R-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventorius:
13525854
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RW1C020UNT2R Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
180 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
400mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-WEMT
Pakuotė / dėklas
6-SMD, Flat Leads
Pagrindinio produkto numeris
RW1C020
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RW1C020UNT2RDKR
RW1C020UNT2RTR
RW1C020UNT2RCT
RW1C020UNT2R-ND
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RV2C010UNT2L
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2757
DiGi DALIES NUMERIS
RV2C010UNT2L-DG
VISO KAINA
0.06
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SSM6K211FE,LF
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
11977
DiGi DALIES NUMERIS
SSM6K211FE,LF-DG
VISO KAINA
0.11
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSD131P10TL
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
US5U3TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
RZL035P01TR
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
