Gamintojo produkto numeris:
SCT2080KEGC11
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
SCT2080KEGC11-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventorius:
170 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996835
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCT2080KEGC11 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
40A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 4.4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -6V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2080 pF @ 800 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
262W (Tc)
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247N
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SCT2080
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-SCT2080KEGC11
Standartinis paketas
450
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03 - TRANS MOSFET P-CH 30V
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
MCG30N10Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
