Gamintojo produkto numeris:
SCT3017ALHRC11
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
SCT3017ALHRC11-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 118A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Inventorius:
1106 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525559
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCT3017ALHRC11 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
118A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22.1mOhm @ 47A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.6V @ 23.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
172 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2884 pF @ 500 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
427W
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247N
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SCT3017
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
450
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RUR020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
RD3H160SPTL1
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
RSS070P05FU6TB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP