Gamintojo produkto numeris:
SCT3080KLHRC11
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
SCT3080KLHRC11-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W Through Hole TO-247N
Inventorius:
842 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527145
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCT3080KLHRC11 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
31A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.6V @ 5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
785 pF @ 800 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
165W
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247N
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SCT3080
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RS3E075ATTB
MOSFET P-CH 30V 8SOP
RRS100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
