Gamintojo produkto numeris:
SCT4062KEC11
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
SCT4062KEC11-DG
Aprašymas:
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247N
Inventorius:
4874 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12976114
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCT4062KEC11 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.8V @ 6.45mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 18 V
VGS (Max)
+21V, -4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1498 pF @ 800 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
115W
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247N
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SCT4062
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-SCT4062KEC11
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SCT4018KRC15
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
APT10M11LVRG
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
TD134N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
