SH8M51GZETB

Gamintojo produkto numeris:

SH8M51GZETB

Product Overview

Gamintojas:

Rohm Semiconductor

Detalių numeris:

SH8M51GZETB-DG

Aprašymas:

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP

Išsami aprašymas:

Mosfet Array 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventorius:

4896 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

13525139

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

SH8M51GZETB Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays

Gamintojas

ROHM Semiconductor

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Not For New Designs

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigūracija

N and P-Channel

AKT funkcija

-

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

610pF @ 25V, 1550pF @ 25V

Galia - Maks.

1.4W (Ta)

Darbinė temperatūra

150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Pakuotė / dėklas

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tiekėjo įrenginių paketas

8-SOP

Pagrindinio produkto numeris

SH8M51

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

SH8M51GZETBDKR

SH8M51GZETBCT

SH8M51GZETBTR

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

rohm-semi

TT8J13TCR

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST

rohm-semi

QS8J12TCR

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

rohm-semi

QS8K2TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

rohm-semi

QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8