Gamintojo produkto numeris:
TT8J21TR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
TT8J21TR-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 2.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
Inventorius:
3027 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526826
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TT8J21TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1270pF @ 10V
Galia - Maks.
650mW
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSST
Pagrindinio produkto numeris
TT8J21
Duomenų lapas ir dokumentai
Patikimumo dokumentai
Duomenų lapai
Dizaino ištekliai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TT8J21CT
TT8J21DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NTHD4102PT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
NTHD4102PT1G-DG
VISO KAINA
0.34
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SP8M5FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SH8KA4TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP