Gamintojo produkto numeris:
2SB1274R-SA
Product Overview
Gamintojas:
Sanyo
Detalių numeris:
2SB1274R-SA-DG
Aprašymas:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Inventorius:
8300 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12940366
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SB1274R-SA Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
3 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
60 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Galia - Maks.
2 W
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220ML
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SB1274R-SA
ONSSNY2SB1274R-SA
Standartinis paketas
1,902
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SB985T-AE
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA1965-S-TL-E
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SB560E-MP-AE-SY
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
