Gamintojo produkto numeris:
MJD122-1
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
MJD122-1-DG
Aprašymas:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
2794 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12876706
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MJD122-1 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN - Darlington
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
8 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
10µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Galia - Maks.
20 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pagrindinio produkto numeris
MJD122
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
MJD122-1-DG
497-16183
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
