Gamintojo produkto numeris:
SCTH50N120-7
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
SCTH50N120-7-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventorius:
12877144
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCTH50N120-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
65A
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
20V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 20 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
270W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
H2PAK-7
Pakuotė / dėklas
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pagrindinio produkto numeris
SCTH50
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SCTH60N120G2-7
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SCTH60N120G2-7-DG
VISO KAINA
18.07
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
