Gamintojo produkto numeris:
SCTH90N65G2V-7
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
SCTH90N65G2V-7-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventorius:
92 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12880155
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCTH90N65G2V-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3300 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
330W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
H2PAK-7
Pakuotė / dėklas
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pagrindinio produkto numeris
SCTH90
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-18352-6
497-18352-2
497-18352-1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STL11N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
STF23N80K5
MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
STF10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
