Gamintojo produkto numeris:
SCTW90N65G2V
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
SCTW90N65G2V-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventorius:
2 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12880909
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SCTW90N65G2V Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3300 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
390W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
HiP247™
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SCTW90
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-18351
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MSC015SMA070B
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
497
DiGi DALIES NUMERIS
MSC015SMA070B-DG
VISO KAINA
24.79
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SCT3022ALGC11
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1695
DiGi DALIES NUMERIS
SCT3022ALGC11-DG
VISO KAINA
36.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STF3LN80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STI6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
