Gamintojo produkto numeris:
STB11N65M5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB11N65M5-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
2000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12878641
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB11N65M5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ V
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
644 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
85W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB11
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13144-1
497-13144-2
-497-13144-6
497-13144-6
-497-13144-2
-497-13144-1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STD75N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT223
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
