Gamintojo produkto numeris:
STB13N80K5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB13N80K5-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12872355
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB13N80K5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SuperMESH5™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
190W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB13
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13860-6
497-13860-2
497-13860-1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFA14N60P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
50
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA14N60P-DG
VISO KAINA
2.25
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STB28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK