Gamintojo produkto numeris:
STB15NM65N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB15NM65N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventorius:
12879564
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB15NM65N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB15N
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-7936-1
497-7936-2
-497-7936-1
-497-7936-2
STB15NM65N-DG
497-7936-6
-497-7936-6
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STB18NM80
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
STB18NM80-DG
VISO KAINA
2.07
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPB65R310CFDAATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1407
DiGi DALIES NUMERIS
IPB65R310CFDAATMA1-DG
VISO KAINA
1.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STL3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STB141NF55
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STW80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3