Gamintojo produkto numeris:
STB200NF04L-1
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB200NF04L-1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventorius:
12874757
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB200NF04L-1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
STripFET™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
STB200N
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-6190-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF1404LPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
6152
DiGi DALIES NUMERIS
IRF1404LPBF-DG
VISO KAINA
1.15
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STF8NK85Z
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
STFW4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
STB35NF10T4
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
