Gamintojo produkto numeris:
STB26NM60N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB26NM60N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
2127 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12879984
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB26NM60N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
140W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB26
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-10985-6
497-10985-1
497-10985-2
STB26NM60N-DG
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP30N10F7
MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
STP7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
STW30NM60D
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
