Gamintojo produkto numeris:
STB28N60M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB28N60M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12877177
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB28N60M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ II Plus
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
22A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
170W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB28
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-14972-2
497-14972-1
497-14972-6
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFA22N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
250
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA22N65X2-DG
VISO KAINA
2.56
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STU5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
STP46N60M6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STW20NM50FD
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
