Gamintojo produkto numeris:
STB45N65M5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB45N65M5-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
301 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875872
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB45N65M5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ V
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
78mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3375 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
210W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB45
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-12940-6
497-12940-2
497-12940-1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPB60R099CPATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1212
DiGi DALIES NUMERIS
IPB60R099CPATMA1-DG
VISO KAINA
3.99
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STS30N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STL150N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
