Gamintojo produkto numeris:
STB8NM60T4
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB8NM60T4-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventorius:
12875810
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB8NM60T4 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB8NM60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-5386-1
STB8NM60T4-DG
497-5386-2
497-5386-6
1026-STB8NM60T4
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R6004KNJTL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
R6004KNJTL-DG
VISO KAINA
0.81
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STU10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
STL22N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
